[发明专利]电子器件及其形成工艺无效
| 申请号： | 200580045257.8 | 申请日： | 2005-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101091256A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | S·索里奇;M·斯坦纳 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L23/58;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电子器件包括衬底和覆盖于该衬底之上并限定了一个开口阵列的阱结构。从横截面视图来看，阱结构在开口上具有反斜面。从平面图来看，每个开口对应于一个有机电子元件。开口阵列内的每个开口具有一宽度，并且开口阵列内的两个直接相邻的开口通过宽度小于各个开口的宽度的沟道来连接。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 及其 形成 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，包括：衬底；以及阱结构，它覆盖于所述衬底之上并限定了一个开口阵列：从横截面视图来看，所述阱结构在所述开口处具有反斜面；从平面图来看，每个开口对应于一个有机电子元件，所述开口阵列内的每个开口具有一宽度；以及所述开口阵列内的两个直接相邻的开口通过宽度小于各个开口宽度的沟道来连接。
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