[发明专利]结晶性被控制的氧化镁单晶及其制造方法以及使用该单晶的基板有效
| 申请号： | 200580045352.8 | 申请日： | 2005-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101094940A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 东淳生;川口祥史;国重正明 | 申请（专利权）人： | 达泰豪化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/22;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种结晶性被控制的氧化镁单晶以及使用该单晶的基板，该结晶性被控制的氧化镁单晶具有亚晶界，并且同一亚晶界中的利用倒易点阵图测定所得到的衍射线位置的变动幅度为：Δω座标的变动幅度为1×10－3～2×10－2度，并且2θ座标的变动幅度为4×10－4～5×10－3度。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 被控 氧化镁 及其 制造 方法 以及 使用 | ||
【主权项】：
1.一种结晶性被控制的氧化镁单晶，其特征在于，其具有亚晶界，并且同一亚晶界中的利用倒易点阵图测定所得到的衍射线座标位置的变动幅度为：Δω座标的变动幅度为1×10-3～2×10-2度，并且2θ座标的变动幅度为4×10-4～5×10-3度。
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