[发明专利]用于以CIGS建立原位结层的热方法无效
| 申请号： | 200580045415.X | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101094726A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 约翰·R·塔特尔 | 申请（专利权）人： | 德斯塔尔科技公司 |
| 主分类号： | B05B7/14 | 分类号： | B05B7/14 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明大体上涉及光电元件的领域，且更具体地说，涉及使用热方法制造薄膜太阳能电池。具体地说，揭示一种用以通过原位结形成工艺来制造CIGS太阳能电池的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 cigs 建立 原位 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备光电装置的方法，其包含以下步骤：a.在衬底上提供p型CIGS半导体层；b.在约300℃到约450℃之间的温度范围内将所述p型半导体层暴露于In+Se+Ga蒸汽持续2到4分钟，以产生n型半导体层来形成p-n结。
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