[发明专利]含硅感光性组合物、使用该组合物的薄膜图案的制造方法、电子机器用保护膜、栅极绝缘膜和薄膜晶体管无效

专利信息
申请号: 200580045961.3 申请日: 2005-12-28
公开(公告)号: CN101099113A 公开(公告)日: 2008-01-02
发明(设计)人: 松川公洋;松浦幸仁;东贤一;中村秀;日下康成 申请(专利权)人: 积水化学工业株式会社;松川公洋;松浦幸仁
主分类号: G03F7/075 分类号: G03F7/075;G11C11/42;G02B5/20;H01L21/027;G03F7/004;H01L21/336;G03F7/038;H01L29/786
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张平元
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种具有感光性、即使不使用交联剂也可以进行碱成像的感光性组合物。本发明涉及一种含硅感光性组合物,其特征在于,包括:具有用上述通式(1)(式中,R11~R1n的至少一种为H,n为1以上的整数)表示的结构,R11~R1n中的至少一种为H,其余为有机基团的至少一种的聚合物(A1)或者含有至少一种的所述聚合物(A1)以及用下述通式(2)(式中,R21~R2n为H以外的原子或官能团,n为1以上的整数)表示的一种聚合物(A2)的含硅聚合物;和,通过放射活化射线或放射线产生酸或碱的化合物(B)。
搜索关键词: 感光性 组合 使用 薄膜 图案 制造 方法 电子 机器 保护膜 栅极 绝缘 薄膜晶体管
【主权项】:
1.一种含硅感光性组合物,该组合物含有:至少一种含硅聚合物(A1),其具有下述通式(1)表示的结构,R11~R1n中的至少之一为H,和化合物(B),其通过活化光线或放射线照射产生酸或碱,[化2]聚合物(A1)...(式1)(式中,R11~R1n中的至少之一为H,n为1以上的整数)。
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