[发明专利]用于使用补偿阴极接触形成单掩模超突变结变容管的方法有效
| 申请号： | 200580046008.0 | 申请日： | 2005-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101099225A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | D·D·库尔鲍;S·S·富尔凯;J·B·约翰逊;R·M·拉塞尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L29/93 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包括具有补偿阴极接触的超突变结变容管的半导体结构，及其制造方法。所述方法包括在形成子集电极/阴极、集电极/阱和超突变结中使用的单注入掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 补偿 阴极 接触 形成 单掩模超 突变 结变容管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：超突变结，位于半导体衬底的阳极区域中；以及至少一个补偿的阴极接触，邻近所述超突变结但与其隔离，所述至少一个补偿的阴极接触在穿通掺杂剂区域的表面处提供第一导电类型的掺杂剂区域，所述穿通掺杂剂区域与作为子集电极或阴极的下面的第一掺杂剂区域接触。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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