[发明专利]抗蚀剂图案的形成方法有效
申请号: | 200580046147.3 | 申请日: | 2005-11-08 |
公开(公告)号: | CN101099114A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 岩井武;岩下淳 | 申请(专利权)人: | 东京应化工业株式会社 |
主分类号: | G03F7/26 | 分类号: | G03F7/26;G03F7/038;G03F7/039;H01L21/027 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱丹 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的抗蚀剂图案的形成方法,是包括下述工序(i)~(ii)的抗蚀剂图案的形成方法:(i)使用正型抗蚀剂组合物在基板上形成第1抗蚀剂层,选择性地进行曝光,在该第1抗蚀剂层上形成密图案的潜像部的工序;(ii)使用负型抗蚀剂组合物在该第1抗蚀剂层上形成第2抗蚀剂层,选择性地进行曝光后,同时使第1抗蚀剂层和第2抗蚀剂层显像,使所述密图案的潜像部的一部分露出的工序;该抗蚀剂图案的形成方法的特征在于:作为所述负型抗蚀剂组合物,使用在不溶解第1抗蚀剂层的有机溶剂中溶解的负型抗蚀剂组合物。 | ||
搜索关键词: | 抗蚀剂 图案 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种抗蚀剂图案的形成方法,是包括下述工序(i)~(ii)的抗蚀剂图案的形成方法:(i)使用正型抗蚀剂组合物在基板上形成第1抗蚀剂层,选择性地进行曝光,在该第1抗蚀剂层上形成密图案的潜像部的工序,(ii)使用负型抗蚀剂组合物在该第1抗蚀剂层上形成第2抗蚀剂层,选择性地进行曝光后,同时使第1抗蚀剂层和第2抗蚀剂层显像,使所述密图案的潜像部的一部分露出的工序;该抗蚀剂图案的形成方法的特征在于:作为所述负型抗蚀剂组合物,使用在不溶解第1抗蚀剂层的有机溶剂中溶解的负型抗蚀剂组合物。
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