[发明专利]太阳能电池用光吸收层及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200580046447.1 申请日: 2005-02-03
公开(公告)号: CN101099243A 公开(公告)日: 2008-01-02
发明(设计)人: 崔寅焕 申请(专利权)人: 银太阳科技发展公司
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 代理人: 周建秋;王凤桐
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开了一种具有增强的日光吸收作用的太阳能电池用光吸收层,该光吸收层包括互相层合的CuGaSe2、CuIn1-xGaxSe2和CuInSe2。还公开了该光吸收层的制备方法。该方法包括以下步骤:通过金属有机化学气相沉积,由含有In和Se的单独前体在基底上形成InSe薄膜;通过金属有机化学气相沉积,使用Cu前体在InSe薄膜上形成Cu2Se薄膜;通过金属有机化学气相沉积,使用含有Ga和Se的单独前体在Cu2Se薄膜上形成CuGaSe2薄膜;以及通过金属有机化学气相沉积,使用含有In和Se的单独前体以及Cu前体在CuGaSe2薄膜上形成CuGaSe2/CuInSe2多层薄膜结构。
搜索关键词: 太阳能电池 用光 吸收 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种太阳能电池用光吸收层的制备方法,该方法包括以下步骤:步骤1:通过金属有机化学气相沉积,由含有第III族元素(以下叫做“B”或“C”,B的原子序数大于C)(B)和第IV族元素(以下叫做“X”)的单独前体在基底上形成结构式为BX的化合物薄膜;步骤2:通过金属有机化学气相沉积,将来自含有第I族金属元素(以下叫做“A”)的前体的金属供给所述结构式为BX的化合物薄膜,形成结构式为A2X的化合物薄膜;步骤3:通过金属有机化学气相沉积,使用含有第III族元素(C)和第VI族元素(X)的单独前体在所述结构式为A2X的化合物薄膜上形成结构式为ACX2的化合物薄膜;以及步骤4:通过金属有机化学气相沉积,使用含有第III族元素(B)和第VI族元素(X)的单独前体在所述结构式为ACX2的化合物薄膜上形成结构式为ABX2的化合物薄膜,由此形成结构式为ACX2/ABX2的多层薄膜结构。
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