[发明专利]太阳能电池用光吸收层及其制备方法无效
申请号: | 200580046447.1 | 申请日: | 2005-02-03 |
公开(公告)号: | CN101099243A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 崔寅焕 | 申请(专利权)人: | 银太阳科技发展公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人: | 周建秋;王凤桐 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种具有增强的日光吸收作用的太阳能电池用光吸收层,该光吸收层包括互相层合的CuGaSe2、CuIn1-xGaxSe2和CuInSe2。还公开了该光吸收层的制备方法。该方法包括以下步骤:通过金属有机化学气相沉积,由含有In和Se的单独前体在基底上形成InSe薄膜;通过金属有机化学气相沉积,使用Cu前体在InSe薄膜上形成Cu2Se薄膜;通过金属有机化学气相沉积,使用含有Ga和Se的单独前体在Cu2Se薄膜上形成CuGaSe2薄膜;以及通过金属有机化学气相沉积,使用含有In和Se的单独前体以及Cu前体在CuGaSe2薄膜上形成CuGaSe2/CuInSe2多层薄膜结构。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 用光 吸收 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种太阳能电池用光吸收层的制备方法,该方法包括以下步骤:步骤1:通过金属有机化学气相沉积,由含有第III族元素(以下叫做“B”或“C”,B的原子序数大于C)(B)和第IV族元素(以下叫做“X”)的单独前体在基底上形成结构式为BX的化合物薄膜;步骤2:通过金属有机化学气相沉积,将来自含有第I族金属元素(以下叫做“A”)的前体的金属供给所述结构式为BX的化合物薄膜,形成结构式为A2X的化合物薄膜;步骤3:通过金属有机化学气相沉积,使用含有第III族元素(C)和第VI族元素(X)的单独前体在所述结构式为A2X的化合物薄膜上形成结构式为ACX2的化合物薄膜;以及步骤4:通过金属有机化学气相沉积,使用含有第III族元素(B)和第VI族元素(X)的单独前体在所述结构式为ACX2的化合物薄膜上形成结构式为ABX2的化合物薄膜,由此形成结构式为ACX2/ABX2的多层薄膜结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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