[发明专利]带有多晶硅晶粒的硅化物源极/漏极电极有效
| 申请号： | 200580046467.9 | 申请日： | 2005-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101443901A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 马希德·M·曼苏瑞;克里斯托夫·沃斯休伯 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，其包括用于晶体管(105)的源极/漏极电极(100)。源极/漏极电极(100)包含位于源极/漏极区(115)上方的多个多晶硅晶粒(110)。金属硅化物层(120)共形地涂覆所述多个多晶硅晶粒。本发明还阐述一种制作所述器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 多晶 晶粒 硅化物源极 电极 | ||
【主权项】：
1、一种包括用于晶体管的源极/漏极电极的半导体器件，其包括：多个多晶硅晶粒，其位于源极/漏极区上方；及金属硅化物层，其共形地涂覆所述多个多晶硅晶粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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