[发明专利]铁电电容器堆叠蚀刻清洗

摘要

本发明提供用于制造铁电电容器结构的方法(100)，其包括用于蚀刻并清洗半导体装置中的经图案化的铁电电容器结构的方法(128)。所述方法包括：蚀刻(142)上部电极的一些部分，蚀刻(141)铁电材料，和蚀刻(142)下部电极，以界定经图案化的铁电电容器结构，以及蚀刻(143)下部电极扩散阻挡层结构的一部分。所述方法进一步包括：使用第一灰化过程灰化(144)所述经图案化的铁电电容器结构；在所述第一灰化过程之后执行(145)湿式清洗过程；及在所述湿式清洗过程之后在高温下在氧化环境中直接使用第二灰化过程灰化(146)所述经图案化的铁电电容器结构。

主权项

1、一种制造半导体装置中的铁电电容器结构的方法，所述方法包括：在电介质材料上形成下部电极扩散阻挡层结构，所述下部电极至少部分地与所述电介质材料中的导电结构接合；在所述下部电极扩散阻挡层结构上形成下部电极；在所述下部电极上形成铁电材料；在所述铁电材料上形成上部电极；在所述上部电极上形成经图案化的蚀刻掩模，所述经图案化的蚀刻掩模暴露所述上部电极的一部分；使用所述经图案化的蚀刻掩模来蚀刻所述上部电极、所述铁电材料、和所述下部电极的一些部分，以界定经图案化的铁电电容器结构；使用所述经图案化的蚀刻掩模来蚀刻所述下部电极扩散阻挡层结构的一部分；使用第一灰化过程灰化所述经图案化的铁电电容器结构；在所述第一灰化过程之后执行湿式清洗过程；及在所述湿式清洗过程之后在约300℃或以上的温度下在氧化环境中直接使用第二灰化过程灰化所述经图案化的铁电电容器结构。