[发明专利]相变存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 200580048280.2 | 申请日： | 2005-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101142695A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | I·V·卡波夫;C·C·郭;Y·金;G·阿特伍德 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;陈景峻 |
| 地址： | 意大利*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 硫族化物选择器件(24，120)和硫族化物存储元件(40，130)都在电介质(18，22)内的通路内形成。结果，硫族化物有效地陷入在通路内并且不需要胶合层或粘合层。而且，避免了脱层问题。在与存储元件(40，130)相同的通路(31)内形成喷枪材料(30)。在一个实施例中，喷枪材料由于存在侧壁隔离物(28)而做得更薄；在另一个实施例中，不使用侧壁隔离物。用于形成存储元件(130)的硫族化物(40)和喷枪材料(30)之间相对小的接触面积是通过在电介质(34)中提供针孔开口来实现的，电介质(34)分开了硫族化物和喷枪材料。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在第一介电层(18)中的通路内形成选择器件(120)的第一硫族化物材料层(24)；和在第二介电层(22)中形成的通路(26；31)内形成存储元件(130)的第二硫族化物材料层(40；40a)。
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