[发明专利]CMP装置用挡圈及其制造方法、以及CMP装置无效
| 申请号： | 200580048970.8 | 申请日： | 2005-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101137464A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 一住连努 | 申请（专利权）人： | 日本精密电子株式会社 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够有效地将适应研磨所需的时间抑制在最小限度内的挡圈。在对晶片(W)进行化学机械研磨的CMP装置(1)中，将配设在保持头(4)内、以环状包围晶片(W)的外周、并且按压研磨垫(3)的研磨面(3a)的挡圈(8)采用PPS等工程塑料材料构成，使按压研磨垫(3)的研磨面(3a)的按压面(8a)的表面粗糙度以粗糙度算术平均偏差值(Ra)计为0.01μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 装置 用挡圈 及其 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种CMP装置用挡圈，其在具备配置在研磨盘上的研磨垫、和保持晶片并将其按压在所述研磨垫上的保持头，从而对所述晶片进行化学机械研磨的CMP装置中，配设在所述保持头内，以环状包围所述晶片的外周，并且按压所述研磨垫的研磨面，所述CMP装置用挡圈的特征在于：由工程塑料材料构成，使按压所述研磨垫的研磨面的按压面的表面粗糙度以粗糙度算术平均偏差值计为0.01μm以下。
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