[发明专利]电子元件、存储装置及半导体集成电路无效
| 申请号： | 200580049548.4 | 申请日： | 2005-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101167138A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 村冈俊作;小佐野浩一;三谷觉;关博司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种电子元件，包括：第一电极(1)，第二电极(3)，以及连接在所述第一电极与所述第二电极之间、并且具有二极管特性和可变电阻特性的层(2)。所述层(2)，在从所述第一电极(1)及所述第二电极(3)中的一个电极向另一个电极延伸的正方向上，传导与和所述正方向相反的反方向相比电流量更多的电流。所述层(2)在所述正方向上的电阻值，根据被施加在所述第一电极(1)与所述第二电极(3)之间的规定脉冲电压而增加或减少。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元件 存储 装置 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种电子元件，其中：包括：第一电极，第二电极，以及层，连接在所述第一电极与所述第二电极之间，并且具有二极管特性和可变电阻特性；所述层，在从所述第一电极及所述第二电极中的一个电极向另一个电极延伸的正方向上，传导与和所述正方向相反的反方向相比电流量更多的电流；所述层在所述正方向上的电阻值，根据被施加在所述第一电极与所述第二电极之间的规定脉冲电压而增加或减少。
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