[发明专利]雪崩光电二极管

摘要

在雪崩光电二极管中，采用具备：第一电极；具备与它电连接的由第一导电类型构成的第一半导体层的衬底；其中，在所述衬底上至少层叠雪崩倍增层、光吸收层、禁带宽度比所述光吸收层更大的由第二导电类型构成的第二半导体层，通过在所述第二半导体层上形成的沟，分离为内部区域和外部区域，所述内部区域与第二电极电连接的结构。根据该结构，能用简单的步骤，提供低暗电流、并且长期可靠性高的雪崩光电二极管。此外，采用包围所述内部区域和沟而在所述外部区域设置外壕沟，通过所述外壕沟至少除去光吸收层，形成所述光吸收层的侧面的结构。根据该结构，能进一步降低暗电流。

主权项

1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，具备：第一电极；具备与它电连接的由第一导电类型构成的第一半导体层的衬底；其中，在所述衬底上至少层叠雪崩倍增层、光吸收层、禁带宽度比所述光吸收层更大的由第二导电类型构成的第二半导体层，通过在所述第二半导体层上形成的沟，分离为内部区域和外部区域，所述内部区域与第二电极电连接。