[发明专利]半导体器件

摘要

例如在使相变元件变为结晶状态的置位动作(SET)时，对相变元件首先施加为了把元件熔化所需要的电压(Vreset)的脉冲后，接着施加比电压(Vreset)还低的、用于使元件结晶所需要的电压(Vset)的脉冲。然后，使该电压(Vset)的大小依存于外界温度而变化，越变得高温(TH)则电压(Vset)的大小越小。据此，置位动作和使元件变为非晶状态的复位动作(RESET)之间的写入动作容限提高。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于：包括存储单元阵列，包括在第一方向延伸的多条字线、在与上述多条字线交叉的第二方向延伸的多条位线、以及配置在上述多条字线和多条位线的交点的多个存储单元；多个字驱动电路，连接在上述多条字线上；多个读出电路和多个写入电路，连接在上述多条位线上，上述多个存储单元分别具有第一节点，连接在上述多条字线中对应的一条上；第二节点，连接在上述多条位线中对应的一条上；第三节点，与上述第二节点对应设置；存储元件，通过置位动作而形成结晶状态，通过复位动作而形成非晶状态；开关元件，接受上述第一节点的控制，形成从上述第二节点经过上述存储元件到达上述第三节点的电流路径，在上述置位动作时，首先对上述存储元件输入第一脉冲，然后连续输入第二脉冲，使上述第二脉冲的大小根据外部的温度而变化。