[发明专利]半导体器件

摘要

具有：多个实际工作电容器36a，所述多个实际工作电容器36a排列形成在半导体衬底10上的实际工作电容器部26上，并具有下部电极30、铁电膜32以及上部电极34；多个虚设电容器36b，所述多个虚设电容器36b排列形成在虚设电容器部28上，并具有下部电极30、铁电膜32以及上部电极34，其中，所述虚设电容器部28设置在半导体衬底10上的实际工作电容器部26的外侧；多个布线40，所述多个布线40分别形成在多个实际工作电容器36a上，并分别连接至多个实际工作电容器36a的上部电极34；布线40，所述布线40分别形成在多个虚设电容器36b上，而且，虚设电容器36b的间距对实际工作电容器36a的间距之比在0.9～1.1的范围内；形成在虚设电容器36b上的布线40的间距对形成在实际工作电容器36a上的布线40的间距之比在0.9～1.1的范围内。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：多个实际工作电容器，排列形成在半导体衬底上的第一区域，并具有第一下部电极、第一铁电膜以及第一上部电极，其中，该第一铁电膜形成在上述第一下部电极上，该第一上部电极形成在上述第一铁电膜上；多个虚设电容器，排列形成在设置于上述半导体衬底上的上述第一区域外侧的第二区域，并具有第二下部电极、第二铁电膜以及第二上部电极，其中，该第二铁电膜形成在上述第二下部电极上，该第二上部电极形成在上述第二铁电膜上；多个第一布线，分别形成在上述多个实际工作电容器上，并分别连接至上述多个实际工作电容器的上述第一上部电极；多个第二布线，分别形成在上述多个虚设电容器上，而且上述虚设电容器的间距对上述实际工作电容器的间距之比在0.9～1.1的范围内；上述第二布线的间距对上述第一布线的间距之比在0.9～1.1的范围内。