[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200580050153.6 | 申请日： | 2005-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101203954A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 保坂真弥 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司;斯班逊日本有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：位线(14)，形成在半导体衬底(10)中；绝缘膜线(18)，设置在位线(14)上，并在位线(14)的长度方向连续延伸；栅极电极(16)，设置在位线(14)间的半导体衬底(10)上；字线(20)，设置在栅极电极(16)上，并朝位线(14)的宽度方向延伸；以及沟槽区(22)，形成在位线(14)间及字线(20)间的半导体衬底中。依据本发明，可提供一种能进行字线(14)间的组件分离并能使存储器单元小型化的半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：位线，形成在半导体衬底中；绝缘膜线，设置在所述位线上，并在所述位线的长度方向连续地延伸；栅极电极，设置在所述位线间的所述半导体衬底上；字线，设置连接在所述栅极电极上，并在所述位线的宽度方向延伸；以及沟槽区，形成在所述位线间及所述字线间的所述半导体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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