[发明专利]半导体结构的形成方法无效
| 申请号： | 200580050955.7 | 申请日： | 2005-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101288180A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 特里·斯帕克斯 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/3213;H01L21/336;H01L21/764 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成半导体结构的方法包括形成硅的第一层(10)以及然后邻接硅层(10)形成硅锗的第二层(12)。然后邻接第二层(12)形成薄的硅的第三层(14)。接着利用常规的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺在硅的第三层(14)上形成栅极结构。然后在第二层(12)中形成沟槽并且将该结构暴露到热气态化学蚀刻剂，例如加热的盐酸。该蚀刻剂移除硅锗，由此形成Silicon－On－Nothing结构。之后，应用常规的CMOS处理技术完成该结构作为金属氧化物半导体场效应晶体管，包括由氮化硅形成间隔物侧壁(28)，氮化硅(30)还填充了通过移除硅锗而形成在硅的第三层(14)下面的空腔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构(5)的方法，该方法包括以下步骤：设置第一半导体材料层(10)；邻接所述第一半导体材料层(10)设置第二半导体材料层(12)；邻接所述第二半导体材料层(12)设置第三半导体材料层(14)；暴露所述第二半导体材料层(12)以便蚀刻剂通向它；其特征在于如下步骤：将所述第二半导体材料层(12)暴露于热气态化学蚀刻剂，该热气态蚀刻剂横向蚀刻所述第二半导体材料层(12)，以在所述第一和第三半导体材料层(10，14)之间形成空腔(26)；其中：所述第二半导体材料层(12)由与所述第一和第二半导体材料层(10，14)不同的材料形成。
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