[发明专利]用于控制硅锗缓冲层中的位错位置的方法有效
| 申请号： | 200580051133.0 | 申请日： | 2005-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101228616A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 谢亚宏;尹泰植 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/36;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于控制位于衬底上的硅锗缓冲层中的位错位置的方法，包括将应变硅锗层沉积在衬底上以及用位错诱导剂照射该硅锗层的一个或多个区域。位错诱导剂可包括离子、电子、或其它辐射源。硅锗层中的位错位于一个或多个区域。然后可用退火工艺处理该衬底和应变硅锗层以将该应变硅锗层转变成弛豫状态。可将应变硅或硅锗顶层沉积在该弛豫硅锗层上。然后基于半导体的器件可在应变硅或硅锗层的未受损区域中制造。穿透位错被限制在可转化成SiO2隔离区域的受损区内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 缓冲 中的 错位 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于控制硅锗缓冲层中的位错位置的方法，包括：将应变含硅锗层沉积在衬底上；用位错诱导剂照射所述含硅锗层的一个或多个区域；通过退火工艺处理所述衬底和所述应变含硅锗层，将所述应变含硅锗层转变成弛豫状态；以及其中在所述含硅锗层中的位错位于所述一个或多个区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
