[发明专利]硅单晶提拉装置及其方法无效
| 申请号： | 200580051163.1 | 申请日： | 2005-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101228299A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 符森林;小野直树 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B30/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 使存留有硅熔融液的石英坩埚以规定的旋转速度旋转，并使从硅熔融液提拉的硅单晶棒以规定的旋转速度旋转。沿垂直方向隔开规定的间隔配设分别以坩埚的旋转轴为中心的第1线圈及第2线圈，分别对第1线圈及第2线圈通以同向的电流，由此使第1和第2线圈之间产生磁场。第1线圈设置在炉室外，第2线圈设置在炉室内。控制中间位置在硅熔融液的表面或其下方以使第1和第2线圈的规定间隔的中间位置与硅熔融液的表面之间的距离为0mm以上10000mm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶提拉 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅单晶提拉装置，构成如下：使设置在炉室内的存留有硅熔融液的石英坩埚以规定的旋转速度旋转，并使从上述硅熔融液提拉的硅单晶棒以规定的旋转速度旋转，沿垂直方向隔开规定的间隔T配设分别以上述坩埚的旋转轴为线圈中心的第1线圈及第2线圈，分别对上述第1及第2线圈通以同向的电流，由此使上述第1和第2线圈之间产生磁场，从而提拉上述单晶棒，其特征在于上述第1线圈设置在上述炉室外，上述第2线圈设置在上述炉室内。
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