[发明专利]孔密封和清洁多孔低介电常数的结构无效
| 申请号： | 200580051296.9 | 申请日： | 2005-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101238554A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 巴尔戈文德·夏尔马 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3105;H01L21/768;C11D11/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种胶束溶液，其用于密封在多孔低介电常数材料内或贯穿多孔低介电常数材料蚀刻的结构的底部和侧壁表面处暴露的孔。所述胶束溶液还可有效地从所述经蚀刻结构中清除蚀刻残余物。 | ||
| 搜索关键词： | 密封 清洁 多孔 介电常数 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种用于密封暴露在经蚀刻结构的表面的多孔介电材料的孔的方法，所述方法的特征在于，包括向所述经蚀刻结构应用胶束溶液的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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