[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200580051319.6 | 申请日： | 2005-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN101238573A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 置田阳一;小室玄一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L27/105 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;冯志云 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中上述半导体器件不阻碍电容器下部电极的取向，并在电容器正下方具有在氧气环境中不易氧化的接触塞。半导体器件具有：硅衬底(1)；形成在硅衬底的表层上的第一源极/漏极区域(8a)；在第一源极/漏极区域上具有第一孔(11a)的第一绝缘膜(11)；形成在第一孔的内面上的导电膜(24)；填充体(25a)，其以填埋第一孔(11a)的厚度形成在导电膜上，并与该导电膜一起构成第一接触塞(26)，且上表面由非晶态的绝缘材料构成；电容器(Q)，其形成在第一接触塞上，并具有与导电膜电连接的下部电极(21a)、由铁电材料构成的电容器电介质膜(22a)及上部电极(23a)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体衬底；第一杂质扩散区域，其形成在上述半导体衬底的表层上；第一绝缘膜，其在上述第一杂质扩散区域上具有第一孔；导电膜，其形成在上述第一孔的内面上，并与上述第一杂质扩散区域电连接；填充体，其以填埋上述第一孔的厚度形成在上述导电膜上，并与该导电膜一起构成第一接触塞，而且至少该填充体的上表面由非晶态的绝缘材料构成；电容器，其形成在上述第一接触塞上，并具有与上述导电膜电连接的下部电极、由铁电材料构成的电容器电介质膜以及上部电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580051319.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
