[发明专利]半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 200580051923.9 申请日: 2005-11-24
公开(公告)号: CN101297393A 公开(公告)日: 2008-10-29
发明(设计)人: 油井肇;村松尚 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: H01L21/301 分类号: H01L21/301
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的是提供一种可以通过防止切割时形成的异形小片的飞散来提高半导体器件的制造成品率的技术。为实现上述目的,在多条切割线中,对于有可能切断异形外周部的切割线,从半导体晶片的外部开始切割线的形成,并在将半导体晶片切断到中途后,在到达形成于半导体晶片的外周部的异形外周部之前结束切割线的形成。对于其他的切割线则从半导体晶片的外部开始切割线的形成,并在将半导体晶片切断后,在半导体晶片的外部结束切割线的形成。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括以下的工序:工序(a),通过沿着半导体晶片的第一方向进行切割来形成由多条第一切割线构成的第一切割线组;以及工序(b),通过沿着与上述第一方向正交的第二方向切割上述半导体晶片来形成由多条第二切割线构成的第二切割线组,在此,上述工序(a)从上述半导体晶片的外部开始切割,并在将上述半导体晶片切断之后,在上述半导体晶片的外部结束切割,上述工序(b)包括以下的工序:工序(b1),从上述半导体晶片的外部开始切割,并在将上述半导体晶片切断之后,在上述半导体晶片的外部结束切割;以及工序(b2),从上述半导体晶片的外部开始切割,并在上述半导体晶片的内部结束切割。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社瑞萨科技,未经株式会社瑞萨科技许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580051923.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top