[发明专利]半导体器件及该半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200580052349.9 | 申请日： | 2005-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101341591A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 铃木贵志;小泽清 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/76;H01L27/08;H01L27/092;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供一种具有元件分离区域的半导体器件，该元件分离区域用于控制P型MOS晶体管或N型MOS晶体管的有源区域的变形，使其成为规定状态。本发明的半导体器件的特征在于，具有形成有MOS晶体管的有源区域、以包围有源区域周围的方式形成的槽，而且，使有源区域产生拉伸变形的第一材料以及产生压缩变形的第二材料的组合被填埋在所述槽内，从而能够解决上述问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有半导体衬底、形成在所述半导体衬底的有源区域、以包围所述有源区域的周围的方式形成的槽，而且，在所述槽内填埋有第一材料及第二材料的组合，其中，所述第一材料使所述有源区域产生拉伸变形，所述第二材料使所述有源区域产生压缩变形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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