[发明专利]用于减小两个接合硅表面之间的界面氧化物的厚度的方法无效
| 申请号： | 200610000445.5 | 申请日： | 2006-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN1818154A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | J·P·德索萨;J·A·奥特;A·雷茨尼采克;D·K·萨丹那;K·L·森格尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于除去和减小在硅晶片接合之后留在Si－Si界面处的超薄界面氧化物的厚度的方法。具体，本发明提供了一种用于除去亲水Si－Si晶片接合之后留下的超薄界面氧化物以形成具有与通过疏水接合获得的相当特性的接合Si－Si界面的方法。通过高温退火，例如，在1300℃－1330℃下退火1－5小时，分解掉近约2到约3nm的界面氧化物层。当在接合界面处的Si表面具有不同的表面取向时，例如，当具有(100)取向的Si表面接合到具有(110)取向的Si表面时，使用本发明的方法最佳。在本发明的更通常的方面，可以使用类似的退火工艺除去设置于两个含硅半导体材料的接合界面处的多余材料。两个含硅半导体材料在表面晶体取向、微结构(单晶、多晶或无定形)和组成上可以相同或不同。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减小 两个 接合 表面 之间 界面 氧化物 厚度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于减小两个接合硅表面之间的界面氧化物的厚度的方法，包括在足以分解氧化物而不熔化硅的温度下退火包括所述两个接合硅表面之间的所述界面氧化物的结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610000445.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：相干因子自适应超声成像
- 下一篇：用于支承或引导承印纸张的装置
