[发明专利]一种具有可控磁场的脉冲激光沉积制膜系统无效

专利信息
申请号: 200610001808.7 申请日: 2006-01-20
公开(公告)号: CN101003890A 公开(公告)日: 2007-07-25
发明(设计)人: 宁廷银;周岳亮;赵嵩卿;王淑芳;韩鹏;程波林;金奎娟;吕惠宾;陈正豪;何萌;刘知韵;杨国桢 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: C23C14/28 分类号: C23C14/28;C23C14/35
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 代理人: 高存秀
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种具有可控磁场的脉冲激光沉积系统,该系统为在传统PLD设备基础上加一套外加强磁场装置,包括:所述的真空室设置成侧壁有一凸出腔,在该凸出腔内安装所述的靶组件和所述的基片加热器;所述的石英玻璃窗口设置在凸出腔上方;还包括一套电磁铁组件,该组件的电磁铁线圈放置在真空室凸出腔外侧,两铁芯磁极通过密封法兰环接到腔内基片加热器的两侧,电磁铁通过控制电源和计算机相连;基片加热器和靶组件与电磁铁的铁芯非接触。本发明装置结构简单,易操作。能容易的在薄膜生长或退火过程中外加可控强磁场,实现传统PLD所不能生长的薄膜。为制备研究新型特殊结构的薄膜样品提供了有效的实验装置。
搜索关键词: 一种 具有 可控 磁场 脉冲 激光 沉积 系统
【主权项】:
1.一种具有可控磁场的脉冲激光沉积制膜系统,包括真空室(14),由机械泵、分子泵和管路组成的真空机组(10);高压气瓶(11)放置在真空室(14)外,通过真空室壁上的针阀与真空室(14)连通组成充气系统;真空室中安装靶组件(13)和基片加热器(7),控制电源(8)与基片加热器(7)连接组成加热控温部分;准分子脉冲激光器(1)放置在真空室(14)外,其产生的脉冲激光经过聚焦透镜(2)聚焦后,经光束扫描镜反射,通过石英玻璃窗口(5)照射到靶材上;其特征在于:所述的真空室(14)设置成侧壁有一凸出腔(15),在该凸出腔(15)内安装所述的靶组件(13)和所述的基片加热器(7);所述的石英玻璃窗口(5)设置在凸出腔(15)上方;还包括一套电磁铁组件,该组件的电磁铁线圈(17)放置在真空室凸出腔(15)外侧,两铁芯(16)的两磁极通过密封法兰环(20),接到真空室内的基片加热器(7)的两侧,电磁铁(4)通过控制电源(18)和计算机相连;基片加热器(7)和靶组件(13)与电磁铁的铁芯(16)非接触。
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