[发明专利]Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610002758.4 | 申请日： | 2006-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN1819288A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 泷哲也;生川满久;青木真登;奥野浩司;丰田优介;西岛和树;山田修平 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件，其在阱层上下形成的层与阱层的接合部附近具有下列区域，该区域为：使在该阱层上下形成的层的晶格常数，以接近该阱层的晶格常数的方式，发生变化而形成。本发明是具有单或多量子阱结构的发光层的Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件制造方法，该结构具有至少包含铟(In)的阱层，其中，在利用气相生长法来形成阱层时，从In源的最低供给量来开始供给，然后使In源的供给量增加到目标供给量为止，此后保持一定供给量，接下来，从目标供给量减少到最低供给量，对In源之外的Ⅲ族原料源而言，在从In源供给开始至供给结束为止的这一期间，以一定的供给量来供给。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 化合物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物系化合物半导体发光元件，是具有量子阱结构的III族氮化物系化合物半导体发光元件，其特征在于：在阱层上下形成的层与阱层的接合部附近具有下述区域，即该区域使在该阱层上下形成的层的晶格常数以接近该阱层的晶格常数的方式，发生变化而形成。
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