[发明专利]使用宽射束的非均一离子注入设备及方法无效
| 申请号： | 200610004409.6 | 申请日： | 2006-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN1891854A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 李民镛 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C14/56;H01J25/50;H01J37/317;H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种非均一离子注入设备，包括：宽离子束产生器，用于产生宽离子束，该宽离子束包含照射在晶片被分成多个区中的至少二个区上的多个宽离子束；及晶片驱动单元，用于当以该宽离子束产生器所产生的宽离子束被照射在晶片上时垂直地往复移动该晶片。至少该宽离子束之一具有剂量不同于至少另一宽离子束的剂量。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 宽射束 均一 离子 注入 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于非均一离子注入工艺的设备，所述设备包括：宽离子束产生器，配置来产生多个宽离子束，所述宽离子束照射在晶片的多个区上；及晶片驱动单元，用于当所述宽离子束由宽离子束产生器照射在晶片上时移动晶片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610004409.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：往复式电机的定子及其制造方法
- 下一篇：导航装置
- 同类专利
- 专利分类
