[发明专利]用于控制半导体存储器件中的时序偏移的电路和方法无效
| 申请号： | 200610004965.3 | 申请日： | 2006-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1822218A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 金杜烈;徐成旻;郑秉勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/24 | 分类号： | G11C7/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于控制半导体存储器件中的时序偏移的电路，包括：偏移控制电路，该电路被配置为对半导体存储器件中所包括的多个存储器组中的相应的每一个产生分立的偏移控制信号。还公开了相关的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 半导体 存储 器件 中的 时序 偏移 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于测试半导体存储器件中的存储器组控制信号的测试电路，所述半导体存储器件具有多个存储器组，响应于所述存储器组控制信号而执行预定的存储操作，所述测试电路包括：测试可编程部分，被配置为产生测试信号；以及分立的偏移控制电路，被配置为响应于所述测试信号而控制用于多个存储器组中的某些的存储器组控制信号的偏移。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610004965.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：等离子显示面板
- 下一篇：半导体存储装置和利用其的存储系统
