[发明专利]包括独立可控的栅电极的两位非易失性存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610007065.4 | 申请日： | 2006-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1832203A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 朴起台;崔正达 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种非易失性集成电路存储器件包括：衬底，包括在其中的第一和第二源区/漏区以及其间的沟道区，邻近第一源区/漏区的沟道区上的第一存储单元，以及邻近第二源区/漏区的沟道区上的第二存储单元。第一存储单元包括沟道区上的第一导电栅和其间的第一多层电荷存储结构。类似地，第二存储单元包括沟道区上的第二导电栅和其间的第二多层电荷存储结构。在第一和第二存储单元之间的沟道区上沿其侧壁延伸的单层绝缘层。单层绝缘层可以不包括电荷俘获层，以及可以将第一和第二导电栅分开一距离，该距离小于第一多层电荷存储结构的厚度。还论述了相关的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 独立 可控 电极 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性集成电路存储器件，包括：衬底，包括在其中的第一和第二源区/漏区以及其间的沟道区；邻近第一源区/漏区的沟道区上的第一存储单元，第一存储单元包括沟道区上的第一导电栅和其间的第一多层电荷存储结构；邻近第二源区/漏区的沟道区上的第二存储单元，第二存储单元包括沟道区上的第二导电栅和其间的第二多层电荷存储结构；以及在第一和第二存储单元之间的沟道区上沿其侧壁延伸的单层绝缘层。
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