[发明专利]一种纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法

摘要

本发明属于微电子学与分子电子学中的微细加工领域，特别是一种纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法。其步骤如下：1.在基片表面上淀积绝缘层薄膜；2.在绝缘层薄膜表面上旋涂电子束抗蚀剂，电子束曝光、显影得到下电极图形；3.蒸发制备下电极金属；4.金属剥离得到交叉线下电极；5.在下电极上覆盖生长有机分子薄膜；6.在有机分子薄膜上蒸发制备金属保护层；7.在保护层上面旋涂双层光刻胶，电子束曝光、显影得到上电极图形；8.斜向蒸发制备上电极金属薄膜；9.金属剥离得到交叉线上电极；10.干法刻蚀保护层，完成交叉线有机分子器件的制备。

主权项

1、一种纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，是由两次电子束光刻、三次金属蒸发、一次有机薄膜沉积生长，两次干法刻蚀，获得交叉线有机分子器件的；其特征在于，其步骤如下：步骤1、在基片表面上淀积绝缘层薄膜；步骤2、在绝缘层薄膜表面上旋涂电子束抗蚀剂，电子束曝光、显影得到下电极图形；步骤3、蒸发制备下电极金属薄膜；步骤4、金属剥离得到交叉线下电极；步骤5、在下电极上覆盖生长有机分子薄膜；步骤6、在有机分子薄膜上蒸发制备金属保护层；步骤7、在保护层上面旋涂双层电子束抗蚀剂，电子束曝光、显影得到上电极图形；步骤8、斜向蒸发制备上电极金属薄膜；步骤9、金属剥离得到交叉线上电极；步骤10、干法刻蚀保护层和有机薄膜层，完成交叉线有机分子器件的制备。