[发明专利]一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法

摘要

一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法，属于半导体器件失效评估领域，它由在衬底上与前者结成一体的由半导体材料构成的平台，固接在平台表面的一排电极，在平台表面平行于电极固接有一排与电极一一对应的辅助电极构成，相邻电极之间的距离互不相等，测量方法包括在电极和辅助电极间加考核电流一段时间，断开考核电流，测量相邻电极之间的总电阻及间距，用传输线法作图并计算欧姆接触的电阻率。使用本发明的芯片和测量方法，能避免考核电流对半导体材料的损伤，准确评估欧姆接触退化程度的方法。

主权项

1.一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片，包含在衬底(0)上与前者结成一体的由半导体材料构成的平台(1)，固接在平台(1)表面长度为W的一排电极(2)，相邻电极(2)之间的距离互不相等，其特征在于：在平台(1)表面平行于电极(2)固接有一排与电极(2)一一对应的辅助电极(3)。