[发明专利]一种氧化物铁电存储单元及制备方法无效
| 申请号： | 200610012370.2 | 申请日： | 2006-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1835241A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 刘保亭;李锋;程春生;赵庆勋;闫正 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/3205;C23C14/35 |
| 代理公司： | 石家庄汇科专利商标事务所 | 代理人： | 王琪;周大伟 |
| 地址： | 071002河北省保*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氧化物铁电存储单元，用成本低、抗氧化性强、无氧通道的金属间化合物材料作为导电氧扩散阻挡层以替代Ir(Pt)阻挡层，通过选择磁控溅射工艺参数实现阻挡层及相关氧化物电极的制备。这种氧化物铁电存储单元，由硅衬底、导电阻挡层、氧化物下电极、氧化物铁电薄膜、氧化物上电极组成，其特征在于：导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上覆盖非晶态Ni－Al二元合金薄膜材料制成。对La－Sr－Co－O/Pb(ZrxTi1－x)O3/La－Sr－Co－O铁电电容器进行极化强度、疲劳等铁电性能研究，得到了非常理想的物理性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 存储 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氧化物铁电存储单元，由硅衬底、导电阻挡层、氧化物下电极、氧化物铁电薄膜、氧化物上电极组成，其特征在于：导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上覆盖非晶态Ni-Al二元合金薄膜材料制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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