[发明专利]超大规模集成电路多层布线SiO2介质的纳米SiO2磨料抛光液无效
| 申请号： | 200610014298.7 | 申请日： | 2006-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1887997A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;孙鸣 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/306;H01L21/768 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘英兰 |
| 地址： | 30013*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种超大规模集成电路多层布线SiO2介质的纳米SiO2磨料抛光液。该抛光液的组分及重量％如下：磨料：二氧化硅水溶胶固含量：20－45，复合碱：0.5－5.5，渗透剂：1.0－10，表面活性剂：1.0－10，螯合剂：0.5－10，余量：去离子水；将上述各组分逐级混合，搅拌均匀即可。该抛光液的配制主要以小粒径球形纳米无定形SiO2水溶胶作为基本磨料，利用氢氧化钾与多羟多胺有机碱形成的复合碱共同调节抛光液pH值范围至10.5－13.5，且复合碱中有效成分的水解产物能够与SiO2介质发生化学反应，抛光液中的渗透剂与FA/O表面活性剂强化抛光液的表面质量传递作用。该抛光液抛光效率高、周期短、成本低、污染小。 | ||
| 搜索关键词： | 超大规模集成电路 多层 布线 sio sub 介质 纳米 磨料 抛光 | ||
【主权项】：
1、一种超大规模集成电路多层布线SiO2介质的纳米SiO2磨料抛光液，其特征在于抛光液的组分及重量％如下：磨料：二氧化硅水溶胶固含量：20-45，复合碱：0.5-5.5，渗透剂：1.0-10，表面活性剂：1.0-10，螯合剂：0.5-10，余量：去离子水；将上述各组分逐级混合，搅拌均匀即可。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北工业大学，未经河北工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610014298.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
