[发明专利]ULSI多层铜布线化学机械抛光中碟形坑的控制方法有效
| 申请号： | 200610014300.0 | 申请日： | 2006-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1861320A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;刘博 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;C09G1/02;C09G1/04 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘英兰 |
| 地址： | 30013*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ULSI多层铜布线化学机械抛光中碟形坑的控制方法，其特征是：选取SiO2水溶胶为磨料，用不同倍数的去离子水稀释，同时加入金属离子螯合剂用以调节pH为9.5－11.5，加入非离子表面活性剂，在抛光进行前加入氧化剂，在流量为200－5000mL/min、温度为20－40℃、转速为60－120rpm、压力为100－250g/cm2、抛光速率为200－1100nm/min的工艺条件下分别进行1－5min的铜抛光和30－60sec的铜、阻挡层、介质层抛光。本发明可实现铜、阻挡层材料、介质层三者抛光速率的一致性，从而有效地降低碟形坑的出现，同时降低待加工片的表面金属离子沾污，以满足工业上对铜布线CMP精密加工的要求。 | ||
| 搜索关键词： | ulsi 多层 布线 化学 机械抛光 中碟形坑 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种ULSI多层铜布线化学机械抛光中碟形坑的控制方法，其特征是：选取SiO2水溶胶为磨料，用不同倍数的去离子水稀释，同时加入金属离子螯合剂用以调节pH为9.5-11.5，加入非离子表面活性剂，在抛光进行前加入氧化剂，在流量为200-5000mL/min、温度为20-40℃、转速为60-120rpm、压力为100-250g/cm2，抛光速率为200-1100nm/min的工艺条件下分别进行1-5min的铜抛光和30-60sec的铜、阻挡层、介质层抛光。
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