[发明专利]碲铟汞光电探测器无效
| 申请号： | 200610017666.3 | 申请日： | 2006-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101060142A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 孙维国;鲁正雄;张亮;赵岚;成彩晶;赵鸿燕 | 申请（专利权）人： | 中国空空导弹研究院 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所 | 代理人： | 陈浩 |
| 地址： | 471009*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于光电子技术领域，涉及一种碲铟汞光电探测器，包括碲铟汞晶片，在碲铟汞晶片的正面生长有钝化保护层，在钝化保护层上设有一对形状对应的刻槽，刻槽贯透钝化保护层，在两刻槽内碲铟汞晶体的表面生长有一层阳极氧化层，在刻槽内阳极氧化层的表面还生长有透明金属电极层，形成一对透明金属电极。与普通的单肖特基p－n结碲铟汞光电探测器相比，本发明可显著减小探测器的结电容，提高器件的响应速度、扩展工作带宽并提高灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 碲铟汞 光电 探测器 | ||
【主权项】：
1、一种碲铟汞光电探测器，包括碲铟汞晶片，在碲铟汞晶片的正面生长有钝化保护层，其特征在于：在钝化保护层上设有一对形状对应的刻槽，刻槽贯透钝化保护层，在两刻槽内碲铟汞晶体的表面生长有碲铟汞本征氧化层和透明金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
