[发明专利]半导体结构及其形成方法、横向扩散P型金氧半晶体管有效
| 申请号： | 200610019889.3 | 申请日： | 2006-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1967870A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 李国廷;伍佑国;陈富信;姜安民 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;高龙鑫 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构，包括设置于半导体基板上的埋层，埋层为第一型掺杂。第一磊晶层形成于埋层上，其为第二型掺杂。第二磊晶层形成于埋层上，其为第二型掺杂；隔离结构设置于埋层上并设置于第一磊晶层与第二磊晶层之间，且该隔离结构为第一型掺杂。第一井区形成于第一磊晶层上，其为第二型掺杂；第二井区形成于第二磊晶层上，其为第二型掺杂；以及第三井区形成于隔离结构上并设置于第一井区与第二井区之间，且该第三井区为第一型掺杂。隔离结构与埋层及第三井区交界，以阻挡第一井区与第二井区的漏电流路径。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 横向 扩散 型金氧半 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种半导体结构，包括：埋层，设置于半导体基板上，该埋层为第一型掺杂；第一磊晶层，形成于该埋层上，该第一磊晶层为第二型掺杂；第二磊晶层，形成于该埋层上，该第二磊晶层为第二型掺杂；隔离结构设置于该埋层上，该隔离结构设置于该第一磊晶层与该第二磊晶层之间，且该隔离结构为第一型掺杂；第一井区形成于该第一磊晶层上，该第一井区为第二型掺杂；第二井区形成于该第二磊晶层上，该第二井区为第二型掺杂；以及第三井区形成于该隔离结构上，该第三井区设置于该第一井区与该第二井区之间，且该第三井区为第一型掺杂；其中该隔离结构与该埋层及该第三井区交界，以阻挡该第一井区与该第二井区的漏电流路径。
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