[发明专利]一种提高膜厚均匀性的离轴溅射控制方法无效
申请号: | 200610022343.3 | 申请日: | 2006-11-28 |
公开(公告)号: | CN1962930A | 公开(公告)日: | 2007-05-16 |
发明(设计)人: | 杜晓松;蒋亚东;李杰;谢光忠;王涛;李伟 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/54 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种提高膜厚均匀性的离轴溅射控制方法,系用圆形平面靶2溅射薄膜,基板1与靶2偏心放置,两者中的任意一个绕其中心轴自转,薄膜的厚度均匀性由靶基距h和偏心距D调节,当刻蚀环3的断面为U形或近似于矩形,并且溅射时气压小于5Pa时,h和D的优化比例关系控制为:D=3+0.7r1+0.3r2+(2/3±0.1)·h式中r1、r2分别为靶2上形成的刻蚀环3的内径和外径。该方法是针对离轴溅射,快速确定优化的靶基距h-偏心距D比例关系的控制方法,它具有:简单易用、普适性强、预测准确的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 均匀 溅射 控制 方法 | ||
【主权项】:
1、一种提高膜厚均匀性的离轴溅射控制方法,系用圆形平面靶(2)溅射薄膜,其特征在于,基板(1)与靶(2)偏心放置,两者中的任意一个绕其中心轴自转,薄膜的厚度均匀性由靶基距(h)和偏心距(D)调节,当刻蚀环(3)的断面为U形或近似于矩形,并且溅射时气压小于5Pa时,h和D的优化比例关系控制为: 式中r1、r2分别为靶(2)上形成的刻蚀环(3)的内径和外径。
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