[发明专利]一种提高膜厚均匀性的离轴溅射控制方法无效

专利信息
申请号: 200610022343.3 申请日: 2006-11-28
公开(公告)号: CN1962930A 公开(公告)日: 2007-05-16
发明(设计)人: 杜晓松;蒋亚东;李杰;谢光忠;王涛;李伟 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/54
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610054四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种提高膜厚均匀性的离轴溅射控制方法,系用圆形平面靶2溅射薄膜,基板1与靶2偏心放置,两者中的任意一个绕其中心轴自转,薄膜的厚度均匀性由靶基距h和偏心距D调节,当刻蚀环3的断面为U形或近似于矩形,并且溅射时气压小于5Pa时,h和D的优化比例关系控制为:D=3+0.7r1+0.3r2+(2/3±0.1)·h式中r1、r2分别为靶2上形成的刻蚀环3的内径和外径。该方法是针对离轴溅射,快速确定优化的靶基距h-偏心距D比例关系的控制方法,它具有:简单易用、普适性强、预测准确的特点。
搜索关键词: 一种 提高 均匀 溅射 控制 方法
【主权项】:
1、一种提高膜厚均匀性的离轴溅射控制方法,系用圆形平面靶(2)溅射薄膜,其特征在于,基板(1)与靶(2)偏心放置,两者中的任意一个绕其中心轴自转,薄膜的厚度均匀性由靶基距(h)和偏心距(D)调节,当刻蚀环(3)的断面为U形或近似于矩形,并且溅射时气压小于5Pa时,h和D的优化比例关系控制为: D = 3 + 0.7 r 1 + 0.3 r 2 + ( 2 3 ± 0.1 ) · h 式中r1、r2分别为靶(2)上形成的刻蚀环(3)的内径和外径。
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