[发明专利]将背面曝光用于嵌入式相移掩模聚焦离子束蚀刻的方法有效
| 申请号： | 200610023618.5 | 申请日： | 2006-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101008787A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 卢子轩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027;G03F7/42;G03F7/26 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种将背面曝光用于嵌入式相移掩模聚焦离子束蚀刻的方法。目前在制作具有硅化钼类(MoSiOx)膜的嵌入式相移掩模(EPSM)时，容易出现图案伸出的缺陷，但是由于扫描电镜不能清晰定义缺陷区域在石英玻璃基材上的轮廓，而使缺陷不能用聚焦离子束有效去除。通过本发明提供的将背面曝光用于嵌入式相移掩模(EPSM)聚焦离子束蚀刻的方法，可以通过负光阻背面曝光的方式准确定义出缺陷区域的轮廓，完全避免上述问题。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 曝光 用于 嵌入式 相移 聚焦 离子束 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1、一种将背面曝光用于嵌入式相移掩模聚焦离子束蚀刻的方法，其特征在于包括下列步骤：a)在掩模样品表面覆盖一层负光阻；b)对涂布负光阻后的掩模进行背面曝光，即从基材这一侧进行曝光；c)清洗样品，去除没有固化的光阻，对样品表面进行聚焦离子束向量扫描定义出缺陷区域；d)根据定义出的缺陷轮廓，对缺陷区域进行聚焦离子束蚀刻，将缺陷区域的钼-硅氧化物去除，剥离掩模上的硬化光刻胶，得到没有缺陷的图案。
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