[发明专利]去除光阻残留的清洗方法以及铜制程的双镶嵌工艺有效
| 申请号： | 200610025648.X | 申请日： | 2006-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101055849A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 方标;郭佳衢;杨华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种去除光阻残留的清洗方法，包括：提供一半导体器件，其上沉积有用于辅助完成光刻步骤的辅助层，以及辅助层之上的光阻层；第一化学清洗步骤；去离子水冲洗；第二化学清洗步骤；去离子水冲洗；干燥步骤。本发明第一清洗步骤可以去除大部分的光阻和高分子层；紧接着采用去离子水冲洗就可以去除“已经漂起”的光阻表面层，从而避免了该光阻表面层重新黏附在器件表面；再采用第二清洗步骤，去除剩余的所有光阻、少量重新黏附回来的光阻表面层和高分子层；本发明所述清洗流程可以有效的去除光阻残留，杜绝了由于光阻残留造成的阻塞图形、产率下降等问题；并且不会对双镶嵌制程带来任何副作用。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 残留 清洗 方法 以及 铜制 镶嵌 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种去除光阻残留的清洗方法，其特征在于，包括：提供一半导体器件，其上沉积有用于辅助完成光刻步骤的辅助层，以及辅助层之上的光阻层；第一化学清洗步骤；去离子水冲洗；第二化学清洗步骤；去离子水冲洗；干燥步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
