[发明专利]电子束曝光方法有效
| 申请号： | 200610026324.8 | 申请日： | 2006-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101063820A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 李正强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电子束曝光方法，包括：首先将预存于电子控制装置内的产品设计图形分区；继而对不同分区内的图形单独曝光。所述产品设计图形包括复数个目标图形和辅助图形；所述复数个目标图形和辅助图形之间无固定相对位置；对所述不同分区内的图形单独曝光时施行不同的曝光次数；所述辅助图形分区的曝光次数小于目标图形分区曝光次数；所述各图形分区曝光量的总和相等。采用本发明方法，有效地降低了曝光时间，同时提高了生产效率，并降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 曝光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子束曝光方法，其特征在于，包括：a.将预存于电子控制装置(40)内的产品设计图形(50)分区；b.对不同分区内的图形单独曝光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610026324.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
