[发明专利]栅极根部缺陷与MOSFET器件性能相关性的仿真方法有效
| 申请号： | 200610026563.3 | 申请日： | 2006-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101075267A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 李家豪;刘巍 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅极根部缺陷与MOSFET器件性能相关性的仿真方法，包括：首先，以产品要求及实际工艺参数为依据，设定仿真参数，借助TCAD工具对对应于栅极根部缺陷的半导体制造工艺进行仿真；然后，利用TCAD工具进行器件物理特性模拟，得到对应于栅极根部缺陷的器件特征参数响应值系列；最后，根据仿真得到的栅极根部缺陷及器件特征参数响应值系列数据，得出栅极根部缺陷与器件特征参数间的函数关系。通过仿真得出器件特征参数与MOSFET栅极根部缺陷的函数关系，可提供制程控制窗口，进而有效地指导工艺方案的设计及生产运行；并可缩短设计周期，降低研发成本。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 根部 缺陷 mosfet 器件 性能 相关性 仿真 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅极根部缺陷与MOSFET器件性能相关性的仿真方法，其特征在于，包括：a.设定仿真参数，对对应于目标工艺控制参数的半导体制造工艺进行仿真；b.进行器件物理特性模拟，得到对应于所述目标工艺控制参数的器件特征参数响应值系列；c.根据仿真得到的目标工艺控制参数及响应值系列数据，得出目标工艺控制参数与器件特征参数间的函数关系。
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