[发明专利]一种氮－氧－氮SAC结构的COB－DRAM位线制作方法有效
| 申请号： | 200610026589.8 | 申请日： | 2006-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101075094A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 颜进甫;肖德元;黄晓橹;罗飞;陶波;赵永康 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00;G03F1/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及COB－DRAM的位线制作方法，特别是具有氮－氧－氮硬掩模的SAC结构的位线的制作方法。该方法的硬掩模采用氮－氧－氮型，即在氮化硅硬掩模中插入一氧化铝层，此插入的氧化铝层以取代相同厚度的氮化硅硬掩模，在同样的SAC刻蚀过程中，氧化硅对氧化铝的选择性高于氧化硅对氮化硅的选择性，因此该方法降低了在SAC刻蚀过程中氮化硅硬掩模的损失，提高SAC刻蚀过程的工艺容许度，避免产生位线金属与SAC孔中填充的多晶硅之间的桥接问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sac 结构 cob dram 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮-氧-氮SAC结构的位线制作方法，包括如下步骤：a)位线金属与氧化物层之间阻障层(Barrier)金属淀积和位线金属淀积；b)位线的氮-氧-氮硬掩模层淀积；c)形成位线光刻胶图案；d)位线硬掩模刻蚀；e)位线金属刻蚀；f)位线间隔层材料淀积和回蚀(Etching Back)；g)氧化物淀积，用于形成第三多晶硅接触；h)形成第三多晶硅接触SAC光刻胶图案；i)第三多晶硅接触SAC刻蚀。
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