[发明专利]双镶嵌结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200610026758.8 | 申请日： | 2006-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101079408A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 陈玉文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双镶嵌结构及其制造方法。该双镶嵌结构具有金属间介质层，覆盖于金属间介质层上的掩埋覆盖层以及形成于所述金属间介质层和掩埋覆盖层中的通孔和沟槽。本发明的制造方法为先在具有金属图案的衬底上覆盖刻蚀停止层，在刻蚀停止层上覆盖金属间介质层，在所述金属间介质层形成掩埋覆盖层。并通过光刻刻蚀出沉积金属所需的沟槽和通孔，其中掩埋覆盖层保护金属间介质层表面在化学机械研磨和等离子体移除光致抗蚀剂过程中不受损伤，并提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双镶嵌结构，其特征在于包括：衬底；衬底上形成的介质层及形成于介质层中的金属图案层；形成于所述介质层和金属图案层上的刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成的至少一层金属间介质层；在所述金属间介质层上形成的通孔和沟槽；在所述通孔和沟槽中填充有金属层；在所述沟槽之间的金属间介质层上形成有掩埋覆盖层。
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