[发明专利]光刻胶残留物的清洗方法有效
| 申请号： | 200610027584.7 | 申请日： | 2006-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101089734A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 刘凤梅;谢文春;杨坚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻胶残留物的清洗方法，包括：a.在晶片中心冲洗；b.在晶片边缘冲洗。本发明能够从根本上解决晶片上的光刻胶残留物不能彻底清除的问题，并在不影响产量和不提高成本的情况下，将光刻胶残留物完全清洗掉，提高良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 残留物 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光刻胶残留物的清洗方法，包括：a对晶片中心进行冲洗；b对晶片边缘进行冲洗。
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