[发明专利]晶片背面缺陷的移除方法有效
| 申请号： | 200610027585.1 | 申请日： | 2006-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101090072A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 王明珠;方明海;吕秋玲;陈淑美 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/311;H01L21/66;H01L21/67;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶片背面缺陷的移除方法。首先确定背面有缺陷的晶片背面各膜层厚度与组成；然后与所述晶片背面外露膜层相应的清洗液对其进行湿法刻蚀，去除该膜层；最后检查所述晶片背面缺陷是否存在，若否，进入该晶片下道工序；否则继续对其下层的膜层进行湿法蚀刻并检查缺陷移除状况，直到该缺陷被移除为止。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 背面 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶片背面缺陷的移除方法，其特征在于，该方法包括：a，确定所述晶片背面各膜层厚度与组成；b，选用与所述晶片背面外露膜层相应的清洗液对其进行湿法刻蚀，去除该膜层；c，检查所述晶片背面缺陷是否被移除，若是，该晶片进入下道工序；否则转到步骤b。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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