[发明专利]半导体光学器件顶部金属层表面介质层的移除方法有效
| 申请号： | 200610027843.6 | 申请日： | 2006-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101093865A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 杨振良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体光学器件顶部金属层表面介质层的移除方法，所述顶部金属层具有图形区及图形线缝区，所述介质层覆盖顶部金属层图形区并填充顶部金属层的图形线缝区，包括：在所述介质层上形成一牺牲层；刻蚀所述牺牲层及介质层；露出顶部金属层图形区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光学 器件 顶部 金属 表面 介质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光学器件顶部金属层表面介质层的移除方法，所述顶部金属层具有图形区及图形线缝区，所述介质层覆盖顶部金属层图形区并填充顶部金属层的图形线缝区，其特征在于，包括：在所述介质层上形成一牺牲层；刻蚀所述牺牲层及介质层；露出顶部金属层图形区。
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