[发明专利]一种针对低介电常数材料的去胶工艺方法有效
| 申请号： | 200610027857.8 | 申请日： | 2006-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1868615A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 200070上海市张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种针对低介电常数材料的去胶工艺方法，包括下列步骤：依靠氢气的强还原能力，并使用惰性气体、卤素混合气源进行干法去胶，以及配合湿法化学清洗操作和超临界二氧化碳液体清洗操作，实现针对低介电常数材料的去胶操作。在充分保证移除化学有机物的前提下，尽可能的减少低介电常数材料的损失，保护衬底材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 针对 介电常数 材料 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1、一种针对低介电常数材料的去胶工艺方法，其特征在于包括以下步骤：(1)使用氢气、惰性气体、卤素混合气源对带有光刻胶的硅片进行干法去胶；(2)使用氨水、双氧水、去离子水进行湿法化学清洗操作；(3)使用超临界二氧化碳进行去胶清洗操作；(4)使用去离子水清洗硅片，完成去胶工艺。
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