[发明专利]一种深度钻孔中辅助去除孔壁铜工艺有效
| 申请号： | 200610028732.7 | 申请日： | 2006-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN1889811A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 马夕松 | 申请（专利权）人： | 沪士电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/02 | 分类号： | H05K3/02;H05K3/04;H05K3/07 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 | 代理人： | 陈丽新 |
| 地址： | 215301江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深度钻孔中辅助去除孔壁铜工艺，即对完成图形电镀及抗蚀刻层后的PCB进行深度钻孔，然后对深度钻孔后的PCB进行碱性蚀刻，最后去除电镀的抗蚀刻层。在PCB深度钻孔过程中，使用本发明工艺，可以降低深度钻孔系统对对准准度的要求，即使不贯孔(1)直径与贯孔(2)直径相差很小，如在6mil－8mil之间，也可较彻底的去除孔壁铜，降低因不贯孔孔壁残留铜对PCB功能造成的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深度 钻孔 辅助 去除 孔壁铜 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种深度钻孔中辅助去除孔壁铜工艺，其特征在于：对完成图形电镀以及抗蚀刻层后的PCB进行深度钻孔，然后对深度钻孔后的PCB进行碱性蚀刻，最后去除电镀的抗蚀刻层。
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