[发明专利]一种有效控制CMP研磨残膜厚的方法无效
| 申请号： | 200610028762.8 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101104250A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 李晗玲;刘艳平 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B49/00 | 分类号： | B24B49/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有效控制CMP研磨残膜厚的方法，其根据实际测得的产品平均研磨时间、平均前膜厚度、平均先导光片研磨速率、平均研磨速率和平均厚度控制研磨时间，本发明结合实际生产中获得的影响研磨时间的因素，较为准确地确定所需研磨时间，最终可实现对CMP研磨后膜厚的有效控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有效 控制 cmp 研磨 残膜厚 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有效控制CMP研磨残膜厚的方法，其特征在于，根据实际测得的产品平均研磨时间、平均前磨厚度、平均先导光片研磨速率、平均研磨速率和平均厚度控制研磨时间，其研磨时间计算公式如下：t = t ‾ + ( Tp - T ‾ p ) / r + ( ( r ‾ - r ) * m ) / R ‾ * t ‾ + ( T ‾ post - Tt ) / 2 r
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