[发明专利]清除钨插塞合金化处理后表面形成的氧化层的方法无效
| 申请号： | 200610028778.9 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101104936A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 李阳柏;张传民;文静;林军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23F3/00 | 分类号： | C23F3/00;B08B3/08;B24C1/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种清除钨插塞合金化处理之后表面形成的氧化层的方法，采用化学机械抛光的方法清除钨插塞表面上形成的氧化物，所述抛光液采用非氧化性研磨料包括气相二氧化硅、胶体二氧化硅、二氧化铈(CeO2)、氧化铝(Al2O3)研磨料。所述研磨料在抛光液中的质量百分比含量大于0小于30％，较好的是5％至25％。采用本发明提供的方法工艺简单，并且能有效清除钨插塞上的氧化层，同时并不会对钨插塞造成污染和损伤。抛光之后，钨插塞与金属导线之间的接触电阻明显变小。 | ||
| 搜索关键词： | 清除 钨插塞 合金 处理 表面 形成 氧化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种清除钨插塞合金化处理后表面形成的氧化层的方法，其特征在于采用化学机械抛光法清除钨插塞表面的氧化层。
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